中国首台高能注入机成功出束，打破国外垄断

中核集团中国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）顺利成功出束，核心指标直达国际先进水平，标志着我国彻底打破国外在该领域的长期技术封锁与垄断。

图源：中国原子能科学研究院

作为芯片制造 “四大核心装备” 之一，离子注入机是半导体制造不可或缺的刚需设备，堪称功率半导体的 “精准离子炮”，其核心作用是将氢离子加速至超高能级后精准注入半导体材料深层，决定芯片耐压能力、开关速度与可靠性，广泛应用于新能源汽车 IGBT 模块、第三代半导体等高端器件制造。此前，我国高能氢离子注入机完全依赖进口，单台设备售价超五千万元，且面临交付周期长、工艺封锁等制约，成为功率半导体产业升级的 “卡脖子” 瓶颈。

此次突破源于跨领域技术创新，原子能院依托数十年核物理加速器领域的深厚积累，以串列加速器技术为核心，走出 “核技芯用” 的独特路径。设备采用独创双级加速架构，实现 750keV 高能离子束稳定输出，束流强度达 5mA，注入均匀性控制在 ±0.5% 以内，更实现高亮度离子源、兆伏级高压发生器等核心子系统 100% 国产化，核心零部件国产化率达 85%，全面掌握从底层原理到整机集成的全链路正向设计能力。

这一成果不仅填补国内串列型高能注入装备空白，更攻克功率半导体制造链关键环节，可使功率半导体制造成本降低 30%-40%，适配 12 英寸晶圆产线，与国产刻蚀机、薄膜沉积设备形成协同效应，为高端制造装备自主可控、保障产业链安全筑牢根基，同时为 “双碳” 目标落地、新质生产力培育提供强力技术支撑。

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